close
تبلیغات در اینترنت
خرید دامنه
RAM
درباره وبلاگ

دوستان به وبلاگ ایران الکتریک خوش آمدید امیدواریم بتوانیم دانسته های خودمان را در اختیار شما قرار دهیم /اگر قصد همکاری دارید نام وتلفن خود را به ایمیل من بفرستید/ودوستانی که قصد تبادل لینک دارند از بخش ارسال لینک اقدام کنند
نویسندگان
ورود به سايت
نام کاربری:
رمز عبور :
موضوعات مطالب
قطعات الکترونیک
دیود ها (2)
مقاومت (2)
خازن ها (2)
ترانزیستور (5)
آی سی (1)
سلف (1)
کلید مکانیکی (1)
انتن (1)
انتن (0)
الائم اختصاری قطعات (1)
پل دیود (1)
دیتا شیت وکاتالوگ
ic-ZN414 (1)
IC-NE555 (0)
UA741 (0)
TDA7000 (0)
SMS
دفترچه اس ام اس (1)
یوزروپسورد نود 32
تعمیرات موبایل
تنظیم هیتر معمولی (1)
تعمیرات 1 (1)
تعمیرات 2 (1)
هیتر اینفرارد (مادون قرمز) (1)
نحوه شماره گزاری بر IC BGA (1)
فایل ریست گوشی ها سونی اریکسونdb2010 (0)
نقشه شماتیک موبایل
نوکیا (1)
سونی اریکسون (0)
سامسونگ (0)
نقشه برد جوی استیک 750کا (1)
نقشه UIF K750 (1)
نقشه جوی استیک k800i (1)
نقشه سیم کشی سونی اریکسونk750 (3)
موبایل
نرم افزارهای نوکیا (4)
نرم افزارهای سونی اریکسون (3)
بازی ها Java (0)
ساعت پس زمینه موبایل (2)
ویزگی های sonyw810 (1)
شناسایی گوشی های اصل از روی بارکد (1)
نوکیا N95 (1)
ماشین حساب موبایل (1)
نرم افزار قفل فایل های موبایل (1)
نرم افزار نقاشی موبایل (1)
راهنمای آپدیت گوشی های سونی اریکسون (1)
نقشه سیم کشی میکروفن سامسونگ به k750 (1)
دیکشنری موبایل (0)
نرم افزار ها ی موبایل (0)
نرم افزار بانک داری الکترونیک موبایل (1)
مدارهای الکترونیکی
مدار حساس به نور (1)
مدار آشکا ساز حرکت (1)
مدار ارسال صوت وتصویر (1)
کنترل خاموش روشن کردن مدار الکتریکی توسط (1)
آموزش طراحی و ساخت ساعت دیجیتالی (3)
فاصله سنج التراسونیک (1)
کنترل از راه دور توسط مادون قرمز (1)
مدار فرستنده و گیرنده (2)
مدار آمپلی فایر قدرت (1)
روشهای تهیه فیبر مدار چاپی
به روش لامینت (2)
به روش اسپری پزیتو20 (1)
به روش اسید کاری (1)
تهیه فیبر مدار چاپی به روش اتو و چاپگر لیزری (4)
نحوه ساخت مدارات الکترونیک (1)
خلاصه ای در مورد بلوتوس
دنیای بلوتوس (1)
آشنایی با سنسورها وحسگرها
سنسورها sensor (1)
تاریخچه ها
تاریخچه ریاضیات (1)
تاریخچه ورزش (0)
تاریخچه والیبال (1)
ویژگى پیامبران الولعظم (1)
زندگی پیامبران الولعظم (1)
تاریخچه دیدارهای استقلال وپیروزی (1)
مدار ها وآرایش ها
ارایش ترانزیستورها (0)
مدار های دیجیتال
انواع فیلیپ فیلاپ ها (1)
تکنلوژی طراحی و ساخت تاچ لمسی
تاچ ها (1)
در باره فرکانس رزونانس دستگاهMRI
MRI (1)
انواع حافظه ها
Ic flash حافظه (1)
نوسان سازها
نوسان ساز با فیدبک (1)
انواع نوسان سازها (1)
خواص میوه ها
خواص موز خشک شده (1)
نرم افزار های تخصصی
نرم افزار الکترونیک (1)
نرم افزار برق (1)
سیستم های سخت افزار ونرم افزار کامپیوتر
سیستم RFID (1)
رمز گزاری بر cd حفاظت از اطلاعات شخصی (1)
مخابراط وسیستم ها آن
سیستم ماهواره های آسمانی (1)
هواپیما ها (2)
جی پی اس (1)
انتن مرکزی (1)
رادیو (1)
دستگاه های اندازه گیری
اسیلوسکوپ (1)
اهم متر (1)
ولتمتر (1)
وات متر (1)
نرم افزار کامپیوتر
نرم افزار goback (1)
backuper nod32.ver3 (1)
آموزش نرم افزاری (0)
نرم افزار google Earth (1)
آموزش نرم افزار های کامپیوتر (1)
معرفی لپ تاپ (2)
در باره کامپیوتر (1)
سیستم عامل (1)
نرم افزار winrarبرای فشرده سازی فایلها (0)
فیلترشکن ultra کم حجم (0)
اینترنت دانلود منیجر (1)
total video converter (1)
نرم افزار FILE LOUK (1)
google Earth (0)
آموزش نرم افزارهای الکترونیک (1)
سخت افزار کامپیوتر
پردازشگرCPU (1)
حافظه (1)
HARD DISCهارد دیسک (1)
مودمMODEM (1)
چاپگرها و نمایشگرها (1)
لوازم جانبی کامپیوتر (1)
رمRAM (1)
دیسک سخت (1)
آموزش تعمیرات موبایل
آموزش تعمیرات موبایل سونی اریکسون (1)
آموزش تعمیرات موبایل مبتدی (2)
کاربرد جریان کشی در موبایل (1)
راه حل استفاده از التراسونیک (1)
پچ ها سونی اریکسون (1)
آموزش تعمیرات k750 (0)
دستگاه های الکترونیکی
سیگنال ژنراتور (0)
منبع تغذیه (1)
ابزارهای الکترونیک
برد برد (1)
هویه (1)
مدارات دیجیتال
مدارات کاربردی دیجیتال (2)
دیتا شیت آی سی های دیجیتال (1)
کامپیوتر
مختصری از برنامه نویسی (1)
چت باكس

2+3=
لينك دوستان
آمار
» افراد آنلاین : 1
» بازدید امروز : 20
» بازدید دیروز : 27
» هفته گذشته : 20
» ماه گذشته : 602
» سال گذشته : 810
» کل بازدید : 832,659
» کل مطالب : 142
» نظرات : 292
» تعداد اعضا : 369
» امروز : دوشنبه 25 تیر 1397
عضویت سریع

قوانین سایت

کد امنیتی :
مطالب پر بازدید
نحوه خواندن مقاومت بازدید : 18755
آموزش ساخت ساعت دیجیتالی بازدید : 13959
نحوه ساخت مدارات الکترونیکی بازدید : 10591
تعریف مختصری از برنامه نویسی بازدید : 8147
دانلود نرم افزار همراه بانک بانک ملی ایران برای موبایل - جاوا بازدید : 7675
علائم اختصاری بازدید : 6677
پل دیود بازدید : 6169
فرستنده و گیرنده توسط مادون قرمز بازدید : 6015
دانلود برنامه قفل فایلها و پوشه ها برای سری ۶۰ نوکیا بازدید : 5517
درباره ترانزیستور اثر میدان بازدید : 4607
نوسان سازها بازدید : 4563
ساخت فاصله سنج توسط امواج بازدید : 4309
راه حل استفاده از الترا سونیک در سرویس سخت افزار موبایل بازدید : 4259
مدار کامل تغییر ولوم صدا به صورت دیجیتال بازدید : 4105
ارسال صوت وتصویر به صورت هم زمان بازدید : 3839
تهیه فیبر مدار چاپی بازدید : 3831
در باره تکنلوژی ساخت تاچ لمسی بازدید : 3519
طرز تهیه فیبر مدار چاپی با لامینت بازدید : 3471
آشنایی با میکرو کنترلرها بازدید : 3433
نقشه هایی از مدارها توسط ای سی 555 بازدید : 3399
آرشيو مطالب
پيوندهاي روزانه
نظر سنجی
نظر شما در مورد وبلاگ چیست؟
خبر نامه
برای دریافت مطالب جدید عضو خبرنامه شوید
طراح قالب
تبلیغات
تبلیغات
RAM

توضیح درباره رم و انواع آنRAM

 

ادامه مطلب رو نگاه کنید

انواع RAM

Static random access memory)SRAM) . اين نوع حافظه ها از چندين ترانزيستور ( چهار تا شش ) برای هر سلول حافظه استفاده می نمايند. برای هر سلول از خازن استفاده نمی گردد. اين نوع حافظه در ابتدا بمنظور cache استفاده می شدند.

Dynamic random access memory)DRAM) . در اين نوع حافظه ها برای سلول های حافظه از يک زوج ترانزيستورو خازن استفاده می گردد .

Fast page mode dynamic random access memory)FPM DRAM) . شکل اوليه ای از حافظه های DRAM می باشند.در تراشه ای فوق تا زمان تکميل فرآيند استقرار يک بيت داده توسط سطر و ستون مورد نظر، می بايست منتظر و در ادامه بيت خوانده خواهد شد.( قبل از اينکه عمليات مربوط به بيت بعدی آغاز گردد) .حداکثر سرعت ارسال داده به L2 cache معادل 176 مگابايت در هر ثانيه است .

Extended data-out dynamic random access memory)EDO DRAM) . اين نوع حافظه ها در انتظار تکميل و اتمام پردازش های لازم برای اولين بيت نشده و عمليات مورد نظر خود را در رابطه با بيت بعد بلافاصله آغاز خواهند کرد. پس از اينکه آدرس اولين بيت مشخص گرديد EDO DRAM عمليات مربوط به جستجو برای بيت بعدی را آغاز خواهد کرد. سرعت عمليات فوق پنج برابر سريعتر نسبت به حافظه های FPM است . حداکثر سرعت ارسال داده به L2 cache معادل 176 مگابايت در هر ثانيه است .

Synchronous dynamic random access memory)SDRM) از ويژگی "حالت پيوسته " بمنظور افزايش و بهبود کارائی استفاده می نمايد .بدين منظور زمانيکه سطر شامل داده مورد نظر باشد ، بسرعت در بين ستون ها حرکت و بلافاصله پس از تامين داده ،آن را خواهد خواند. SDRAM دارای سرعتی معادل پنج برابر سرعت حافظه های EDO بوده و امروزه در اکثر کامپيوترها استفاده می گردد.حداکثر سرعت ارسال داده به L2 cache معادل 528 مگابايت در ثانيه است .

Rambus dynamic random access memory )RDRAM) يک رويکرد کاملا" جديد نسبت به معماری قبلی DRAM است. اين نوع حافظه ها از Rambus in-line memory module)RIMM) استفاده کرده که از لحاظ اندازه و پيکربندی مشابه يک DIMM استاندارد است. وجه تمايز اين نوع حافظه ها استفاده از يک گذرگاه داده با سرعت بالا با نام "کانال Rambus " است . تراشه های حافظه RDRAM بصورت موازی کار کرده تا بتوانند به سرعت 800 مگاهرتز دست پيدا نمايند.

Credit card memory يک نمونه کاملا" اختصاصی از توليدکنندگان خاص بوده و شامل ماژول های DRAM بوده که دريک نوع خاص اسلات ، در کامپيوترهای noteBook استفاده می گردد .

PCMCIA memory card .نوع ديگر از حافظه شامل ماژول های DRAM بوده که در notebook استفاده می شود.

FlashRam نوع خاصی از حافظه با ظرفيت کم برای استفاده در دستگاههائی نظير تلويزيون، VCR بوده و از آن به منظور نگهداری اطلاعات خاص مربوط به هر دستگاه استفاده می گردد. زمانيکه اين نوع دستگاهها خاموش باشند همچنان به ميزان اندکی برق مصرف خواهند کرد. در کامپيوتر نيز از اين نوع حافظه ها برای نگهداری اطلاعاتی در رابطه با تنظيمات هارد ديسک و ... استفاده می گردد.

VideoRam)VRAM) يک نوع خاص از حافظه های RAM بوده که برای موارد خاص نظير : آداپتورهای ويدئو و يا شتاب دهندگان سه بعدی استفاده می شود. به اين نوع از حافظه ها multiport dynamic random access memory) MPDRAM) نيز گفته می شود.علت نامگذاری فوق بدين دليل است که اين نوع از حافظه ها دارای امکان دستيابی به اطلاعات، بصورت تصادفی و سريال می باشند . VRAM بر روی کارت گرافيک قرار داشته و دارای فرمت های متفاوتی است. ميزان حافظه فوق به عوامل متفاوتی نظير : " وضوح تصوير " و " وضعيت رنگ ها " بستگی دارد.

RAM شامل دو نوع است : ايستا و پويا . متداولترين و ارزانترين RAM در واقع نوعي خازن است که ميتواند شارژ الکتريکي را در خود حفظ کرده و نشان دهنده يک بيت از داده باشد. متاسفانه خازن فقط به مدت کوتاهي ميتواند شارژ الکتريکي را در خود حفظ کند و بايد بطور مرتب محتوياتش تجديد شود. به همين دليل RAM مبتني بر اين روش را (RAM پويا ) يا " DRAM " ميگويند. نمونه سريعتر و گران قيمت تري از RAM نيز وجود دارد که در آن از کليد هاي بسيار کوچکي به نام فليپ فلاپ استفاده شده است . اين کليد ها قطعه هاي پايداري بوده و تا زماني که جريان الکتريکي جديدي به آنها اعمال نشده باشد ميتوانند محتويات يک بيت را در خود نگهداري کنند. RAM مبتني بر اين روش ( RAM ايستا ) يا " SRAM " ناميده ميشود.

 

 

انواع ROM

حافظه PROM

توليد تراشه های
ROM مستلزم صرف وقت و هزينه بالائی است .بدين منظور اغلب توليد کنندگان ، نوع خاصی از اين نوع حافظه ها را که PROM )Programmable Read-Only Memory) ناميده می شوند ، توليد می کنند.اين نوع از تراشه ها با محتويات خالی با قيمت مناسب عرضه شده و می تواند توسط هر شخص با استفاده از دستگاههای خاصی که Programmer ناميده می شوند ، برنامه ريزی گردند. ساختار اين نوع از تراشه ها مشابه ROM بوده با اين تفاوت که در محل برخورد هر سطر و ستون از يک فيوز( برای اتصال به يکديگر) استفاده می گردد. يک شارژ که از طريق يک ستون ارسال می گردد از طريق فيوز به يک سلول پاس داده شده و بدين ترتيب به يک سطر Grounded که نماينگر مقدار "يک" است ، ارسال خواهد شد. با توجه به اينکه تمام سلول ها دارای يک فيوز می باشند، درحالت اوليه ( خالی )، يک تراشه PROM دارای مقدار اوليه " يک" است . بمنظور تغيير مقدار يک سلول به صفر، از يک Programmer برای ارسال يک جريان خاص به سلول مورد نظر، استفاده می گردد.ولتاژ بالا، باعث قطع اتصال بين سطر و ستون (سوختن فيوز) خواهد کرد. فرآيند فوق را " Burning the PROM " می گويند. حافظه های PROM صرفا" يک بار قابل برنامه ريزی هستند. حافظه های فوق نسبت به RAM شکننده تر بوده و يک جريان حاصل از الکتريسيته ساکن، می تواند باعث سوخته شدن فيوز در تراشه شده و مقدار يک را به صفر تغيير نمايد. از طرف ديگر ( مزايا ) حافظه ای PROM دارای قيمت مناسب بوده و برای نمونه سازی داده برای يک ROM ، قبل از برنامه ريزی نهائی کارآئی مطلوبی دارند.

حافظه
EPROM

استفاده کاربردی از حافظه های
ROM و PROM با توجه به نياز به اعمال تغييرات در آنها قابل تامل است ( ضرورت اعمال تغييرات و اصلاحات در اين نوع حافظه ها می تواند به صرف هزينه بالائی منجر گردد)حافظه هایEPROM)Erasable programmable read-only memory) پاسخی مناسب به نياز های مطرح شده است ( نياز به اعمال تغييرات ) تراشه های EPROM را می توان چندين مرتبه باز نويسی کرد. پاک نمودن محتويات يک تراشه EPROM مستلزم استفاده از دستگاه خاصی است که باعث ساطع کردن يک فرکانس خاص ماوراء بنفش باشد.. پيکربندی اين نوع از حافظه ها مستلزم استفاده از يک Programmer از نوع EPROM است که يک ولتاژ را در يک سطح خاص ارائه نمايند ( با توجه به نوع EPROM استفاده شده ) اين نوع حافظه ها ، نيز دارای شبکه ای مشتمل از سطر و ستون می باشند. در يک EPROM سلول موجود در نقطه برخورد سطر و ستون دارای دو ترانزيستور است .ترانزيستورهای فوق توسط يک لايه نازک اکسيد از يکديگر جدا شده اند. يکی از ترانزيستورها Floating Gate و ديگری Control Gate ناميده می شود. Floating gate صرفا" از طريق Control gate به سطر مرتبط است. ماداميکه لينک برقرارباشد سلول دارای مقدار يک خواهد بود. بمنظور تغيير مقدار فوق به صفر به فرآيندی با نام Fowler-Nordheim tunneling نياز خواهد بود .Tunneling بمنظور تغيير محل الکترون های Floating gate استفاده می گردد.يک شارژ الکتريکی بين 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود.شارژ از ستون شروع و پس از ورود به floating gate در ground تخليه خواهد گرديد. شارژ فوق باعث می گردد که ترانزيستور floating gate مشابه يک "پخش کننده الکترون " رفتار نمايد . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت ديگر لايه اکسيد به دام افتاده و يک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان يک صفحه عايق بين control gate و floating gate رفتار می نمايند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونيتور خواهد کرد. در صورتيکه جريان گيت بيشتر از 50 درصد شارژ باشد در اينصورت مقدار "يک" را دارا خواهد بود.زمانيکه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به "صفر" تغيير پيدا خواهد کرد.يک تراشه EPROM دارای گيت هائی است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار يک را دارا است.
بمنظور باز نويسی يک
EPROM می بايست در ابتدا محتويات آن پاک گردد. برای پاک نمودن می بايست يک سطح از انرژی زياد را بمنظور شکستن الکترون های منفی Floating gate استفاده کرد.در يک EPROM استاندارد ،عمليات فوق از طريق اشعه ماوراء بنفش با فرکانس 253/7 انجام می گردد.فرآيند حذف در EPROM انتخابی نبوده و تمام محتويات آن حذف خواهد شد. برای حذف يک EPROM می بايست آن را از محلی که نصب شده است جدا کرده و به مدت چند دقيقه زير اشعه ماوراء بنفش دستگاه پاک کننده EPROM قرار داد.

حافظه های
EEPROM و Flash Memory

با اينکه حافظه ای
EPROM يک موفقيت مناسب نسبت به حافظه های PROM از بعد استفاده مجدد می باشند ولی کماکان نيازمند بکارگيری تجهيزات خاص و دنبال نمودن فرآيندهای خسته کننده بمنظور حذف و نصب مجدد آنان در هر زمانی است که به يک شارژ نياز باشد. در ضمن، فرآيند اعمال تغييرات در يک حافظه EPROM نمی تواند همزمان با نياز و بصورت تصاعدی صورت پذيرد و در ابتدا می بايست تمام محتويات را پاک نمود.حافظه های Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)EEOPROM) پاسخی مناسب به نيازهای موجود است . در حافظه های EEPROM تسهيلات زير ارائه می گردد:
برای بازنويسی تراشه نياز به جدا نمودن تراشه از محل نصب شده نخواهد بود.
برای تغيير بخشی از تراشه نياز به پاک نمودن تمام محتويات نخواهد بود.
اعمال تغييرات در اين نوع تراشه ها مستلزم بکارگيری يک دستگاه اختصاصی نخواهد بود.
در عوض استفاده از اشعه ماوراء بنفش، می توان الکترون های هر سلول را با استفاده از يک برنامه محلی و بکمک يک ميدان الکتريکی به وضعيت طبيعی برگرداند. عمليات فوق باعث حذف سلول های مورد نظر شده و می توان مجددا" آنها را بازنويسی نمود.تراشه های فوق در هر لحظه يک بايت را تغيير خواهند داد.فرآيند اعمال تغييرات در تراشه های فوق کند بوده و در مواردی که می بايست اطلاعات با سرعت تغيير يابند ، سرعت لازم را نداشته و دارای چالش های خاص خود می باشند.
توليدکنندگان با ارائه
Flash Memory که يک نوع خاص از حافظه های EEPROM می باشد به محدوديت اشاره شده پاسخ لازم را داده اند.در حافظه Flash از مدارات از قبل پيش بينی شده در زمان طراحی ، بمنظور حذف استفاده می گردد ( بکمک ايجاد يک ميدان الکتريکی). در اين حالت می توان تمام و يا بخش های خاصی از تراشه را که " بلاک " ناميده می شوند، را حذف کرد.اين نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سريعتر است ، چون داده ها از طريق بلاک هائی که معمولا" 512 بايت می باشند ( به جای يک بايت در هر لحظه ) نوشته می گردند. شکل زير حافظه BIOS را که نوع خاصی از حافظه ROM مدل Flash memory است ، نشان می دهد.

EPROM سر نام عبارت (Erasable Programmable Read Only Memory ) است که به آن حافظه فقط خواندني قابل برنامه ریزي نيز گفته ميشود. EPROM ها تراشه هاي حافظه غير فرار ( پايدار ) هستند که پس از ساخت برنامه ريزي ميشوند. تفاوت اين نوع حافظه با حافظه PROM ، قابليت پاک شدن برنامه هاي درون آن ميباشد. در اين تراشه ها اشعه ماوراء بنفش قوي ميتواند اتصالهاي قطع شده تراشه را دوباره برقرار کند. اگر چه قيمت EPROM ها بسيار بيشتر از DROM ها است اما اگر تغييرات زيادي در برنامه ريزي اعمال گردد، EPROM مقرون بصرفه خواهد بود.


درباره : رمRAM ,
امتیاز : | نظر شما :
برچسب ها : RAM , ROM.EPROM.E2PRAM , HARD.... ,
تعداد بازدید : 752

نوشته شده در سه شنبه 19 بهمن 1389 توسط sadegh| لينك ثابت |

نظرات وبلاگ
نام شما :
آدرس وب سایت :
پست الکترونیک :
ایمیل * (برای عموم نمایش داده نخواهد شد)
پیام شما :
شکلک ها :
:) :( ;) :D ;)) :X :? :P :* =(( :O @};- :B /:) :S
:
نظر خصوصی
کد امنیتی :
:
عناوين آخرين مطالب ارسالي
صفحات دیگر